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prodotti a film sottile ad alta precisione e affidabilità


ECRIM ha un circuito integrato ibrido a film sottile attraverso la linea di produzione standard dell'esercito nazionale ha anche il mondo attrezzature avanzate per la formatura di film per sputtering magnetron, macchina per resistenza laser ad alta precisione, macchina per litografia, macchina per incisione al plasma, saldatrice a sfera con filo d'oro e così via. basato su processi a film sottile, progetta e sviluppa prodotti di processo a film sottile e circuiti di elaborazione di segnali integrati ibridi negli ultimi 40 anni, ECRIM ha sviluppato un gran numero di alta precisione e alta qualità tecnologia a film sottile e prodotti per circuiti per supportare i progetti chiave nazionali di ingegneria i prodotti principali sono varie reti di resistenza a film sottile, substrato a microonde, circuito di elaborazione del segnale di precisione, circuito integrato ibrido ad alta densità e così via.




prodotto di processo a film sottile
  • pellicola sottile di precisione resistenza: accuratezza: ± 0,1 % ~ ± 0,02 %
  • temperatura coefficiente: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • ceramica a film sottile metallizzazione e microonde substrato:
  • base materiale: ossido di alluminio, nitruro di alluminio, quarzo ecc.
  • Precisione: precisione della linea ± 2,5μm, larghezza e spaziatura minima della linea 20μm
  • frequenza gamma: DC ~ 110G
film sottile attenuatore: alta frequenza a 26 GHz, bassa onda stazionaria, alta precisione di attenuazione
circuito di segnale integrato ibrido


servo sensore circuito: preamplificatore, convertitore di temperatura, amplificatore di carica, accelerometro mems e giroscopio mems.


  • tipo di isolamento circuito: isolamento del segnale o isolamento dell'alimentazione, amplificatore di isolamento
  • riferimento di precisione fonte: piccola tensione, riferimento di corrente, I / F
  • fotoelettrico circuito: conversione fotoelettrica in fibra ottica integrata ibrida, modulo di trasmissione
  • microonde circuito: P / L / C / S / Banda X canali, amplificatore di media e bassa potenza
  • custom circuito: tutti i tipi di alta precisione conversione del segnale, circuito di pilotaggio, miniaturizzazione di un circuito dedicato
Il la qualità del prodotto soddisfa il grado di qualità e i requisiti di valutazione dell'affidabilità specificati in GJB2438A-2002 e il grado di qualità più elevato raggiunge il grado aerospaziale (K grado).
pellicola sottile
Modello parametro 3 parametro 2 parametro 1
Power heat sink Material: AlN/BeO Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, prefabricated AuSn film, etc
Chip components Precision : ±0.1% -- ±0.02% Passivation layer structure : SiO2+Si3N4、SiO2 Resistance range : 10Ω—1MΩ
Highly reliable subs Material: Al2O3/AlN. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, thin film resistors, prefabricated AuSn films, etc
Coaxial attenuator Frequency :DC -18000 Attenuation: 0.7-1.3 Max standing wave ratio :1.3
Thin film attenuator Applicable frequency : DC~ 18GHz Power : 1W Standing wave : ≤ 1.2
Microwave substrate Material: Al2O3. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistors, prefabricated AuSn films, etc.
Thin film Substrate Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistance, prefabricated AuSn film, etc Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Material: AlN/Al2O3/multilayer AlN-HTCC/quartz
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