ECRI Microelectronics

Pellicola sottile

Pellicola sottile

Alta precisione e prodotti a film sottile affidabili

ECRIM ha un circuito integrato ibrido a film sottile attraverso la linea di produzione standard dell'esercito nazionale. Ha anche l'avanzato sistema di formazione del film spettroscopico di magnetron al mondo, la macchina per la resistenza al laser ad alta precisione, la macchina per litografia, la macchina per incisione al plasma, la saldatrice per palline con filo d'oro e così via. Basato su un processo a film sottile, progetta e sviluppa prodotti a film sottile e circuiti di elaborazione del segnale integrati ibridi. Negli ultimi 40 anni, ECRIM ha sviluppato un gran numero di prodotti a tecnologia e circuiti a film sottile di alta precisione e alta qualità per supportare progetti chiave di ingegneria nazionale. I prodotti principali sono varie reti a film sottile, substrato a microonde, circuito di elaborazione del segnale di precisione, circuito integrato ibrido ad alta densità e così via.

high-accuracy-and-reliable-thin-film-productshigh-accuracy-and-reliable-thin-film-products-1

Prodotto di processo a film sottile
  • Precisione resistenza del film sottile: precisione: ± 0,1% ~ ± 0,02%
  • Coefficiente di temperatura: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • Metallizzazione ceramica a film sottile e substrato a microonde:
  • Materiale di base: ossido di alluminio, nitruro di alluminio, quarzo ecc
  • Precisione: precisione della linea ± 2,5 μm, larghezza della linea minima e distanza di 20μm
  • Intervallo di frequenza: DC ~ 110G
Attenuatore film sottile: alta frequenza a 26 GHz, bassa onda stazionaria, elevata precisione di attenuazione
hybrid-integrated-signal-circuit-1hybrid-integrated-signal-circuit-1
hybrid-integrated-signal-circuit-3hybrid-integrated-signal-circuit-4

Circuito di segnale integrato ibrido

hybrid-integrated-signal-circuit-5

Circuito servo sensore: preamplificatore, convertitore di temperatura, amplificatore di carica, accelerometro MEMS e giroscopio MEMS.

  • Circuito del tipo di isolamento: isolamento del segnale o isolamento dell'alimentazione, amplificatore di isolamento
  • Sorgente di riferimento di precisione: piccola tensione, riferimento di corrente, I / F
  • Circuito fotoelettrico: conversione fotoelettrica ibrida integrata in fibra ottica, modulo di trasmissione
  • Circuito a microonde: canali P / L / C / S / X-band, amplificatore a media e bassa potenza
  • Circuito personalizzato: tutti i tipi di conversione del segnale ad alta precisione, circuito di pilotaggio, miniaturizzazione di un circuito dedicato
La qualità del prodotto soddisfa i requisiti di valutazione di qualità e affidabilità specificati in GJB2438A-2002 e il grado di qualità più elevato raggiunge il grado aerospaziale (grado K).

Componenti a microonde, prodotti a circuito e tecnologia di miniaturizzazione

--------- ECRIM
Basato sulla tecnologia a film sottile, la divisione aziendale ECRIM, progetta e sviluppa principalmente componenti passivi per film ad alte prestazioni, tra cui filtro a microstrip, divisore di potenza, attenuatore, substrato a microonde, ecc .; I moduli attivi includono L, S, C, amplificatore a basso rumore integrato ibrido a banda X, mixer, oscillatore, amplificatore di potenza, canale a radiofrequenza, filtro LC, generatore di armoniche e altri prodotti. Personalizziamo anche componenti e componenti per i clienti. I prodotti sono ampiamente utilizzati in comunicazione wireless, navigazione, radar e altri sistemi aerospaziali, aeronautici e terrestri. Ha una linea di produzione di substrati a microonde da 250.000 pollici quadrati e 30.000 film sottili di circuiti integrati ibridi di fascia alta.

La tecnologia a film sottile, grazie al suo processo di produzione ad alta precisione e alle caratteristiche di microonde altamente stabili, presenta evidenti vantaggi rispetto al PCB e ad altri processi nel campo della radiofrequenza. Ha linee sottili, alta integrazione e buona dissipazione del calore. È in grado di produrre circuiti ad alta densità di potenza, in particolare in sistemi aerei, proiettili, satellitari e alcuni sistemi di radiofrequenza di fascia alta. Le sue caratteristiche di dimensioni ridotte, leggerezza e alta affidabilità sono più importanti.

1. Tecnologia e prodotti a film sottile
I prodotti tecnologici a film sottile sono caratterizzati da alta precisione, alta densità, alta frequenza e alta affidabilità, che sono ampiamente utilizzati nei campi del substrato di interconnessione di circuiti integrati ibridi, dispositivi a microonde, comunicazione fotoelettrica, sensore, MCM, LED e così via. I prodotti tipici includono substrato a microonde, filtro a microstriscia, attenuatore, resistenza di precisione a film sottile (rete), ecc.
fig-1-typical-thin-film-circuit-structure

1,1 substrato a microonde per film
  • panoramica
Il materiale matrice principale del substrato a microonde per film è la ceramica di allumina. Siamo in grado di fornire ai clienti servizi personalizzati, come la base di nitruro di alluminio e la lavorazione della piastra di base a microonde a base di quarzo.
  • Descrizione del processo

Film system

Typical floor resistance

50-75-100Ω/□

Typical thickness of transition layer

1000~3000Å

Surface metal thickness

3~8μm

Lithography

Resolution ratio

0.8μm

Registration accuracy

±1μm

Double exposure, thick adhesive exposure

Scribing

Minimum cut size

0.5mm×0.5mm

Dimensional accuracy

±50μm

Unit alignment accuracy

±5μm

Process capability

The 2″×2″ substrate can produce 800 pieces/week



 Aspetto del prodotto

thin-film-microwave-substrate-product-appearancethin-film-microwave-substrate-product-appearance-1

1.2 Resistenza e rete di precisione a film sottile
  • Panoramica
La resistenza del film sottile di precisione (rete di resistenza) è una resistenza a film sottile (rete di resistenza) con alta precisione di tracciabilità del valore di resistenza e piccolo volume. Presenta i vantaggi della precisione del valore ad alta resistenza, del coefficiente di temperatura a bassa resistenza, del basso rumore e della buona stabilità a lungo termine. È adatto per i campi dell'aerospaziale, dell'aviazione e dell'impianto di dispositivi medici umani. La precisione può arrivare fino allo 0,01%, il coefficiente di localizzazione della temperatura fino allo 0,02% e i valori di resistenza arbitraria possono essere personalizzati in base alle esigenze del cliente e l'imballaggio può essere sotto forma di adesivo per tavolo di chip, pacchetto ceramico, pacchetto pacchetto, ecc. .
  • Specifiche tecniche della rete di resistenza e resistenza




precision resistance

Resistance materials

Nickel chrome

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):±25--±5

Tantalum nitride

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):-100---50

Substrate materials

glass ceramics/silicon slice/aluminum oxide/aluminum nitride

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Passivation layer structure

SiO2+Si3N4、SiO2

Size

0404、0603、0805、1206

Resistance range

10Ω—1MΩ

Power

25 mW–100 mW

Operating temperature range

-65℃--125℃


Precision resistance network

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Relative accuracy

±0.02%

Temperature tracking coefficient accuracy

±0.02%--±0.05%

Size

Design according to the detailed drawing

Packaging form

We can use the chip table sticker, ceramic package and packaging as the customers demand.

Temperature coefficient

±10ppm

Operating temperature range

-65℃--125℃

Antistatic capacity

1500V-2000V



Aspetto del prodotto

thin-film-precision-resistance-and-network-product-appearance


1.3 Capacità del chip a film sottile
  • Panoramica
I condensatori truciolo a film sottile sono adatti per applicazioni a onde rf, microonde e millimetriche. Frequenza adatta: 100MHz ~ 100GHz, capacità: 50-4300pf. Rivestimento Pt / Au, adatto alla saldatura.
Gli indici tecnici chiave
Tabella 2 Principali indici tecnologici

Size:W×L

10×10mils to 90×90mils

(0.25×0.25mm to 2.25×2.25mm)

thickness:t

6mils±1mil&10mils±1mil

(0.150mm±0.025mm&0.250mm±0.025mm)

Electrode

Ti/Pt/Au  Ti/Ni/Au

The rated voltage (RWV)

50V for t=6mils(0.150mm)

100V for t=10mils(0.250mm)

Capacitance

50pF to 1000pF(nominal@+25℃ & 1kHz)

Capacity tolerance

M=±20%

Z=-20%/+80%

V=-0%/+100%

Loss Coefficient(DF)

<2.5%(@+25℃ & 1kHz)

Insulation resistance(IR)

>1010Ω

Dielectricbreakdown voltage(DWV)

RWV×2.5(minimum DWV @+25℃)


Disegno tipico dell'aspetto del prodotto

typical-product-appearance-drawing

1.4 Attenuatore film sottile
  • Panoramica
L'attenuatore del film ha parametri parassiti bassi e alta frequenza di utilizzo fino a 18 GHz. Film protettivo autopassivante a prova di umidità; Adatto per l'incollaggio di filo d'oro. Ampiamente usato nella comunicazione a onde millimetriche a microonde a onde radio, comunicazioni ottiche e altri campi.

Allo stato attuale, abbiamo sviluppato 6 serie di fogli di attenuazione con oltre 100 varietà. Il seguente è un esempio dell'attenuatore AT150504-X:
  • Gli indici tecnici chiave
Tabella 3 principali indicatori tecnici

applicable frequency

characteristic impedance

standing wave

operating temperature

Size

Power

DC~18GHz

50±1Ω

≤1.2

-55~125℃

15.8*5*0.4

1



Tabella 4 Precisione dell'attenuazione

Attenuation

Working frequency

Attenuation accuracy

1~10dB

20dB

30dB

40dB

50dB

60dB

DC~18GHz

±0.3dB

±0.5dB

±0.5dB

±0.7dB

±1dB

±1dB


L'attenuazione può essere regolata in base alla richiesta del cliente.
  • Disegno tipico dell'aspetto del prodotto
typical-product-appearance-drawing-2

1.5 Attenuatore coassiale
  • Overview
Gli indicatori principali di questa serie di attenuatori fissi coassiali si riferiscono alla serie bw-s1w2 + della MINI company. Con una frequenza CC ~ 18 GHz e una potenza di ingresso massima di 2 W, ha le seguenti caratteristiche: ampia banda di frequenza operativa, basso rapporto d'onda stazionario, attenuazione piatta, forte resistenza agli impulsi e resistenza alla combustione.
  • Schema elettrico schematico
schematic-circuit-diagram
  • Gli indici tecnici chiave
Tabella 5 Gli indici tecnici chiave (Un case study di 1dB)

the-key-technical-indexes

Tabella 6 Parametro tipico
table-6-typical-parameter

Dopo il test e il confronto, l'indice di precisione dell'attenuazione di questa serie di attenuatori è simile a quello dei prodotti della MINI company e il rapporto di onde stazionarie è migliore rispetto ai prodotti della MINI.
  • Dimensione
table-6-typical-size
  • Disegno tipico dell'aspetto del prodotto
typical-product-appearance-drawing-3


Bm-w2c1, bm-w2c2, bm-w2c3, bm-w2c4, bm-w2c5, bm-w2c6, bm-w2c7, bm-w2c8, bm-w2c9 e bm-w2c10 sono rispettivamente denominati in base alla potenza e all'attenuazione.

1.6 La guida alla progettazione
Selezione di substrati ceramici
Tabella 7 Selezione dei parametri principali del substrato ceramico

Substrate parameters

Influence

Instructions

Thickness

upper frequency limit

Different frequency choose different thickness

minimum-value aperture

50um

Dielectric constant

line width

It depends on the device performance

Surface roughness

Width of thinnest line

line width: 10um

Dissipation factor

Insertion loss

General requirements loss is less than 0.0005

Thermal conductivity

Power dissipation

Aluminum nitride/beryllium oxide for high power applications


Regole per la progettazione di circuiti a film sottile
Tabella 8 Indicatori di riferimento comuni per le regole di progettazione dei circuiti a film sottile

project

meaning

Typical values

Special requirements

Size of substrates and chips

2 inches substrates,Usable area

46×46

48×48

Toleranceof substrate thickness

±0.050mm

±0.020mm

Toleranceof chips size

±0.050mm

(+0,-0.050mm)

Scribing and its accuracy

Number of available cutting

0.15mm,0.20mm

0.10mm

cutting accuracy

±0.050mm


The conduction band

Minimum line width

0.018mm

0.010mm

The smallest seam width

0.018mm

0.010mm

A typical distance from the edge of the chip

0.050mm

0.000mm

The line drawing of special guide should be narrower than the designed size

0.004mm


resistance

Minimum line width

0.050mm

0.008mm

Minimum line length

0.050mm


Minimum blank distance between the resistance edge and the conductor

0.025mm

0.000mm

Minimum contact distance between resistance and conductor

0.050mm


The minimum distance of the resistance film from the chip edge

0.050mm


Metal hole

The smallest aperture

50um


The minimum distance from the edge of the hole to the edge of the figure

80um


Minimum spacing

100um


The minimum distance from the hole center to the edge of the chip

75um



2 Prodotti di miniaturizzazione del canale di radiofrequenza
La tecnologia di miniaturizzazione del circuito integrato ibrido a microonde nella divisione dei film sottili si concentra sulla progettazione dei circuiti locali, sulla modularizzazione, sulla miniaturizzazione, sul packaging strutturale, sul miglioramento della coerenza e dell'affidabilità. I prodotti originali di canale rf sono miniaturizzati dalla tecnologia a film sottile, cioè alcuni circuiti nel canale RF sono processati con maggiore precisione e migliore affidabilità dalla tecnologia a film sottile, che è incapsulata nella custodia metallica a tenuta di schermatura con buona dissipazione del calore grazie al metodo di assemblaggio ad alta densità.

Quello che segue è un esempio di un canale di radiofrequenza in banda L e della sua tecnologia di miniaturizzazione. Questo tipo di indice di prodotto è strettamente correlato all'indice dell'antenna, all'elaborazione dei dati e ad altri requisiti di sistema e si sviluppa principalmente in collaborazione con gli utenti.

2.1 Caratteristiche tecniche
Diagramma schematico del canale Rf
radio-frequency-channel-miniaturization-products
L'array di antenne RF è suddiviso in canale GNSS e canale XXX. Il canale GNSS è un canale singolo progettato con circuiti già esistenti. Il canale RF di XXX è composto principalmente da filtro, amplificatore a basso rumore, convertitore up-down, amplificatore, modulo orologio, sorgente di frequenza e alimentazione DC_DC.

La coerenza della fase radio canale (RF) al canale consistenza, consistenza, isolamento, stabilità fase di guadagno hanno requisiti più elevati, quindi la miniaturizzazione del processo integrato ibrido film sottile su come inviare e ricevere il passaggio, ogni canale da camera di separazione coerente struttura incapsulamento, il modulo di canale, rispettivamente, completa l'amplificazione del segnale RF e la conversione di frequenza, e altre funzioni, al fine di raggiungere l'elevata domanda.
Tabella 9 Caratteristiche elettriche del canale di frequenza radio

characteristics

symbol

Conditions

RF input frequency:xxxx.5MHz±10MHz;

RF input power:-130dBm~-40dBm

LO input frequency:xxxx MHz;

LO input power:0dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Channel gain

G


45

55

dB

Gain consistency

ΔG


-

2

dB

Image rejection

S1


65

-

dBc

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

Working current

I


0.35

0.4

A

Noise Figure

NF



2.5


RF port standing wave ratio

VSWR


-

2

-

Phase consistency

ΔPh

TA=25℃

-5

5



2.2 Tecnologia di miniaturizzazione dei canali di radiofrequenza
radio-frequency-channel-miniaturization-technology-1

radio-frequency-channel-miniaturization-technology-2
  • Selezione dei componenti
I componenti incapsulati con chip grezzi o micro-label sono selezionati per l'integrazione ibrida per migliorare il grado di integrazione e ridurre efficacemente l'area del circuito.
  • Produzione di substrati a film sottile
I requisiti ambientali per i canali di radiofrequenza sono relativamente elevati e la piastra di base è necessaria per garantire la costante dielettrica pur avendo una conduttività termica più elevata. La selezione e la produzione dei materiali sono studiati per soddisfare i requisiti pratici.

(1) Selezione del substrato
L'ossido di alluminio (AL2O3) viene solitamente selezionato per il substrato, che presenta i vantaggi della grande costante dielettrica, piccola perdita dielettrica, grande resistenza di isolamento, elevata resistenza meccanica e vicino al coefficiente di espansione termica dell'involucro della confezione. Il nitruro di alluminio (ALN) è preferito sulla piastra di base del dispositivo di potenza, con la costante dielettrica di 8.7 e la conducibilità termica di 200 W / m • K. I substrati ceramici hanno molte proprietà eccellenti e svolgono un ruolo più importante del PCB nel campo della comunicazione a microonde. Con l'alta costante dielettrica del substrato a film sottile, può ridurre la stessa lunghezza del segnale a microonde della lunghezza media e la larghezza della rete di attenuazione di resistenza può anche essere generata direttamente su substrato di pellicola sottile, riducendo così notevolmente l'area del circuito originale e migliorata la precisione dell'attenuazione allo stesso tempo, il modulo esistente, la coerenza, l'affidabilità, la manutenibilità, la scalabilità, ecc. hanno una certa ascesa.

(2) Selezione di materiali metallici conduttivi
Parti del canale RF devono essere assemblate mediante processo di saldatura. Il metallo sul substrato è necessario per avere buone capacità di saldatura, capacità di saldatura e resistenza e grande corrente, in modo da garantire la forza e l'affidabilità della saldatura. Inoltre, il circuito a radiofrequenza ha requisiti sull'impedenza della banda e sulla profondità della pelle del segnale a radiofrequenza, quindi adotta il metodo di doratura della linea a micro strisce per soddisfare i requisiti del segnale a radiofrequenza.

(3) Filo e foro passante
La chiave per le alte prestazioni e la ripetibilità nelle strutture a microonde è determinata dalla geometria del metallo e l'impedenza caratteristica della linea di trasmissione è determinata dalla larghezza della linea. L'intero canale RF ha un volume ridotto, un'elevata densità di cablaggio e una larghezza di filo ridotta, pertanto i requisiti di precisione sono molto elevati. I fori passanti metallizzati sono comunemente usati per collegare i segnali in radiofrequenza alle aree incapsulate, richiedendo una migliore resistenza meccanica e minore impedenza elettrica.

fig-9
FIG 9

fig-10
FIG 10

  • Tecnica di micro assemblaggio
micro-assembly-technique
Il modulo a canale singolo adotta la tecnologia di saldatura per saldare il substrato all'interno della cavità per garantire una buona messa a terra. Le interfacce di input e output, come RF, TLO, RLO, IF, + VCC e -vcc, sono rispettivamente collegate all'antenna e al substrato a livello di sistema.

Destinati alle prestazioni e all'affidabilità del circuito, i parametri del processo di interconnessione come l'alta coerenza e l'alta affidabilità dei circuiti del canale RF sono controllati. Utilizzando il modello elettromagnetico, i parametri vengono convertiti in un circuito equivalente, che è coinvolto nell'analisi di simulazione dell'intero circuito e guida il progetto e il test.

  • Tecnologia di incapsulamento della cavità a microonde
La confezione del circuito a microonde richiede le seguenti quattro funzioni di base: supporto meccanico e protezione ambientale, percorso di tensione e corrente, segnale del canale di frequenza radio, ingresso del segnale di controllo e percorso di uscita e percorso di dissipazione del calore.
Considerando la corrispondenza del coefficiente di dilatazione termica del materiale, il materiale di imballaggio dovrebbe avere un'alta conduttività termica. I requisiti di base per i materiali di imballaggio sono l'alto modulo di elasticità, il basso coefficiente di dilatazione termica, la buona finitura e la buona planarità.
La densità di assemblaggio dei componenti del canale rf è molto alta, con un conseguente elevato calore per unità di area. Anche se molti dei dispositivi a microonde temperatura sezione può raggiungere 170 ℃ sopra, ma la scelta del materiale di imballaggio improprio, i componenti di calore lavoro non possono esportare rapidamente, i componenti all'interno e all'esterno del gradiente di temperatura è troppo grande, formata nell'interno troppo caldo o troppo caldo , peggiorano le prestazioni dei componenti, o a causa del grande danno da stress termico e rendono la struttura del circuito.
ECRIM è da tempo impegnata nella ricerca e nello sviluppo di involucri metallici. Hanno la più grande linea di produzione di gusci per imballaggi metallici in Cina e vantano una vasta esperienza nella progettazione e produzione di involucri metallici. Ha le attrezzature di produzione e le capacità tecniche relative alla progettazione della conchiglia, alla lavorazione meccanica, alla preparazione del cordone di vetro, alla sigillatura a tenuta d'aria, alla brasatura, alla placcatura elettrolitica, alla prova di affidabilità e così via, che fornisce una garanzia affidabile per la progettazione della struttura del canale a radiofrequenza. La Figura 11 è un diagramma di struttura tridimensionale della struttura di componenti di radiofrequenza della banda Ku progettata per un progetto.
Il pacchetto del modulo canale rf è progettato per adottare la tecnologia del pacchetto a tenuta d'aria, che mira a isolare l'ambiente, prevenire l'erosione degli inquinanti e rendere i dispositivi interni adatti alla bassa pressione e ad altre condizioni di lavoro. Allo stesso tempo, soddisfare i requisiti di compatibilità elettromagnetica come la schermatura.

fig-11
FIG 11

fig-12
FIG 12

3 Altri prodotti per circuiti a microonde
3.1 Amplificatore di potenza a microonde
Come stadio finale del trasmettitore, l'amplificatore di potenza amplifica il segnale della banda di frequenza modulata alla potenza richiesta, assicurando che segnali di livello sufficienti possano essere ricevuti all'interno dell'area di copertura. Prendendo l'amplificatore a impulsi a banda X e l'amplificatore a onda continua a banda S sviluppato da 43 come esempi (figura 12), vengono descritti il ​​livello di processo principale e il livello di indice del prodotto. Amplificatori a microonde possono essere indicatori proposti separatamente, design modulare indipendente, siamo in grado di fornire gli indicatori utente in base al pacchetto di progettazione e produzione.
Dopo aver adottato il processo a film sottile (le parti finite adottano chip nudi), il volume viene notevolmente ridotto, ad esempio il volume può essere modificato da 20 x 35 x 10 mm3 a 10 x 20 x 10 mm3.
Tabella 10. Caratteristiche elettriche dell'amplificatore di potenza a impulsi x-band

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.1GHz±0.5 GHz;

The input power:7dBm;Work pulse width:1mS

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


33

-

dBm

duty cycle



-

25%




Tabella 11 Caratteristiche elettriche dell'amplificatore di potenza a onda continua a banda S

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.2GHz±0.1 GHz;The input power:10±2dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


37

-

dBm

Gain flatness

ΔG


-

2

dB

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

spurious suppression

S1-1


65

-

dBc

Working current

I


-

2.0

A



3.2 amplificatore a basso rumore
L'amplificatore a basso rumore può essere personalizzato per soddisfare le esigenze degli utenti, fornendo moduli finiti di imballaggio in guscio metallico, fissaggio a vite. La dimensione degli amplificatori a basso rumore B1, B2 e B3 è di circa 15 mm x 15 mm senza filtro.
Tabella 12 indicatori tecnici

features

Limit value

Unit

Min

Max

gain

26

30

dB

Noise factor (room temperature)

0.8

1.2

dB

Port a standing wave

1

2


Working current

60

m



4 Caratteristiche dei prodotti a microonde con tecnologia a film sottile

4.1 Alta affidabilità
Grazie all'adozione della tecnologia a film sottile, un gran numero di dispositivi di resistenza nel circuito originale sono stati generati direttamente sul substrato, riducendo il numero di componenti saldati e migliorando la precisione dell'attenuazione. Allo stesso tempo, man mano che la piastra di base del modulo canale viene saldata direttamente alla cavità, il supporto meccanico e la protezione ambientale vengono rafforzati, le prestazioni della messa a terra in radiofrequenza sono notevolmente migliorate e l'indice di affidabilità del modulo è ampiamente migliorato, è adatto per la produzione di massa. Produzione nella linea di produzione standard dell'esercito nazionale, il livello di qualità di G, H sopra.

4.2 Forte operabilità
La progettazione modulare viene adottata e il modulo di canale e il substrato del livello di sistema possono essere separati per il test di assemblaggio, migliorando l'efficienza del test. A causa della scomposizione effettiva degli indicatori di test, il test di produzione può essere smontato in gruppi indipendenti contemporaneamente.

4.3 Buona anti-interferenza
Come risultato del design modulare, il modulo del canale è completamente chiuso in una cavità chiusa indipendente, che è diversa dal layout multi-laminare più cavità originale. Pertanto, può proteggere meglio il crosstalk dei segnali a microonde e i segnali di alimentazione da altri canali.

4.4 Piccolo volume
Dopo la miniaturizzazione, l'area del componente viene ridotta di 1/3 a 1/2 e la forma dell'interfaccia è più concisa. La trasmissione del segnale tra ogni modulo dell'intera macchina può essere realizzata solo inserendo e scollegando direttamente il cavo misto. Ecco due esempi di prodotti miniaturizzati.


Prodotti fotoelettrici a film sottile
1 substrato fotoelettrico a film sottile
  • Panoramica
Il substrato fotoelettrico a film sottile viene utilizzato principalmente nel campo della comunicazione ottica. Il materiale di substrato è per lo più substrato di nitruro di alluminio con elevata conduttività termica (oltre 170). Lo spessore del substrato è compreso tra 0,127-2 mm. La struttura metallica multistrato è comunemente usata come sistema a membrana TiPtAu.
  • Principali indicatori

The fine line

20μm

Line precision

≤ ±5μm

Hole resistance

≤50 mΩ

Size

≤ ±50μm

Special cutting accuracy

≤ ±50μm


Nota: la qualità del prodotto soddisfa i requisiti di MIL-PRF-38534


FIG 16

2 rivelatore di fibra ottica Pin-fet
2.1 Panoramica
Il rivelatore di fibre ottiche Pin-fet è un tipo di dispositivo optoelettronico che incapsula un chip rivelatore fotoelettrico e un circuito amplificatore a basso rumore nella stessa shell. Il segnale luminoso viene irradiato sulla superficie fotosensibile del rivelatore. Il diodo fotoelettrico produce l'ingresso di fotocorrente sul circuito dell'amplificatore a basso rumore. Il circuito dell'amplificatore a basso rumore converte il segnale di corrente debole in segnale di tensione e quindi amplifica l'uscita.

2. 2 Caratteristiche del prodotto
Alta affidabilità, alta sensibilità, ampia gamma dinamica

2.3 Ambito di applicazione
sistema di trasmissione a fibre ottiche, giroscopio a fibra ottica, creazione grande, sensore a fibra ottica

2.4 Modello di circuito
Il modello del circuito è il seguente:
HPF XXXX X
hpf-xxxx--x

2.5 Confezioni e foto differenti

type

Type A packaging

TypeB packaging

TypeC packaging

TypeD packaging

category

Metal 14 feet

Metal8 feet

Ceramic 8 feet

size

20.8 mm x12.7 mm x4.67 mm

13.5 mm x12.7 mm x4.67 mm

12.7mm x7.9mmx5.3mm




photo

The leg defines the contrast

WTD, 44 institute, worldcom, podan photoelectric

Tong wei tong, pu Dan photoelectricity

Metal 8 pin

Same as WTD



La resistenza incrociata comunemente usata è 40K, 200K e 400K. I prodotti con differenti requisiti di resistenza incrociata, larghezza di banda, tensione di uscita e fibra di coda possono essere progettati in base alle esigenze degli utenti.

2.6 Indicatori di prestazione (serie A, B, C, D)
Voto massimo

ParametersSymbolMaximum rating Unit

positive-supplyVcc      +5.5         V

Negative supplyVee      -5.5          V

Operating temperatureTamb     -55~+85     ℃

Storage temperatureTstg      -55~+85    ℃


Condizioni di lavoro raccomandate

Parameters  Symbol  Maximum rating Unit

positive-supplyVcc        +5      V

Negative supplyVee        -5      V


Proprietà fotoelettriche
Vcc = + 5V, Vss = -5V
performance-indicators-specification-1
performance-indicators-specification-2



1. Sii professionale nella microelettronica con 50 anni di storia.
2. Leader tecnologico, oltre 1500 dipendenti del 50% del team di ingegneri.
3. Capacità produttive avanzate, impianti completi in casa (HTCC / LTCC / Film spesso / Film sottile / AlN / DBC / Pacchetti / Forni)
4. Garanzia di alta qualità, Cina Centro nazionale di ispezione microelettronica ibrida in ECRIM.
5. Capacità di integrazione verticale da materie prime, componenti, dispositivi, moduli, attrezzature all'integrazione del sistema.
6. Prezzo competitivo
7. Consegna flessibile, tempi di consegna brevi
8. Risposta veloce.
9. Design del cliente disponibile.
Lascia un messaggio Email Us

ti contatteremo entro 24 ore.